Samsung анонсировала новый набор микросхем DDR4, выполненный по 20-нм техпроцессу

27.10.14
1970
Новая память DDR4 от Samsung

Samsung анонсировала новый набор микросхем DDR4, выполненный по 20-нм техпроцессу, что позволит значительно увеличить существующие объёмы оперативной памяти. На сегодняшний день, для настольных и серверных компьютеров доступны модули объёмом до 32 ГБ. Причём, стоимость такого модуля может превышать 500$, а комплект из 4-х модулей по 8 ГБ уже стоит значительно дешевле - около 300$. Последняя разработка от Samsung позволит переломить эту тенденцию, обеспечив приемлемую цену для модулей самого большого объёма.

Таким образом, Samsung закладывает основу для существенного увеличения объёмов оперативной памяти. Производство новых 8-Гбит интегральных микросхем по 20-нм техпроцессу позволяет получить 32-ГБ модули памяти, а в будущем реализовать всю линейку до 128 ГБ включительно. Многих волновал вопрос, насколько быстро Samsung сможет воплотить в жизнь свои планы? К всеобщему удивлению, представитель компании ответил: "Мы готовы начать производство уже сейчас, если будет спрос на эту продукцию". Это не значит, что мы увидим эти модули в ближайшие месяцы, но в ближайшие несколько лет - это точно. Такая память будет работать на частоте 2400 МГц - достаточно быстро для серверных решений. Некоторое время уйдёт на то, чтобы память DDR4 стала работать значительно быстрее, чем DDR3, но энергопотребление и плотность записи улучшатся сразу.

Планка памяти DDR4 32 Гб от Samsung

Большой интерес представляет использование таких DDR4 модулей с высокой плотностью записи для расчётов в высокопроизводительных вычислительных комплексах, особенно в долгосрочной перспективе. Ведь именно такие аспекты, как высокая плотность RAM-памяти и её энергоэффективность долгое время были камнем преткновения при создании высокопроизводительных суперкомпьютеров. Если компании Samsung удастся увеличить в 4 раза плотность памяти, то это позволит создать материнские платы, имеющие 32 слота, с поддержкой от 1 ТБ до 4 ТБ оперативной памяти. Именно таких объёмов требуют серверные чипсеты от Intel. Например, 15-ядерный процессор Xeon E7v2 поддерживает до 1,5 ТБ RAM-памяти на ядро.

Напомним, что раннее Toshiba объявляла о выпуске самой маленькой NAND памяти.

По данным Samsung, новые чипы, выполненные по более современной ECC-технологии, работают при напряжении 1,2 В и потребляют в 2 раза меньшую мощность, чем их предшественники DDR3, изготовленные по 40-нм техпроцессу. Спрос на потребительском рынке будет очень скромным, ведь сейчас только Intel X99 имеет поддержку памяти DDR4; в скором времени обещается поддержка чипсетом Intel Skylake. Ходят слухи, что чипсет Carrizo от компании AMD также сможет работать с памятью стандарта DDR4. Вполне возможно, что он будет поддерживать сразу оба стандарта: DDR3 и DDR4. Для этого потребуется создать две версии чипа, либо оснастить его комбинированным контроллером памяти, как это было при переходе с DDR2 на DDR3.

DDR4 выполненная по 20-нм техпроцессу потребляет в 2 раза меньше мощность, чем DDR3

Однако, есть опасения, что в ближайшее время память стандарта DDR4 не будет востребована в сегменте настольных компьютеров. Скорее всего, она найдёт применение в смартфонах и других высокопроизводительных переносных устройствах, где на первый план выходит вопрос энергосбережения.

Оцените статью
1 1 1 1 1

Добавить комментарий

Оставляя свой комментарий, Вы соглашаетесь с правилами комментирования

  1. Регистрация отключает капчу, разрешает мгновенную публикацию комментариев.
  2. Комментарии гостей проходят премодерацию.
  3. Комментарии должны быть по теме статьи. Малоинформативные и короткие комментарии скорее всего будут удалены.
  4. Комментарии содержащие рекламу запрещены.
  5. Имя комментатора должно быть лаконичным, удобочитаемым, без рекламы.
  6. Хамство, грубость, нецензурные выражения запрещены.

Нажмите на изображение, чтобы обновить код