Samsung анонсировала новый набор микросхем DDR4, выполненный по 20-нм техпроцессу

27.10.14
5119
Новая память DDR4 от Samsung

Samsung анонсировала новый набор микросхем DDR4, выполненный по 20-нм техпроцессу, что позволит значительно увеличить существующие объёмы оперативной памяти. На сегодняшний день, для настольных и серверных компьютеров доступны модули объёмом до 32 ГБ. Причём, стоимость такого модуля может превышать 500$, а комплект из 4-х модулей по 8 ГБ уже стоит значительно дешевле - около 300$. Последняя разработка от Samsung позволит переломить эту тенденцию, обеспечив приемлемую цену для модулей самого большого объёма.

Таким образом, Samsung закладывает основу для существенного увеличения объёмов оперативной памяти. Производство новых 8-Гбит интегральных микросхем по 20-нм техпроцессу позволяет получить 32-ГБ модули памяти, а в будущем реализовать всю линейку до 128 ГБ включительно. Многих волновал вопрос, насколько быстро Samsung сможет воплотить в жизнь свои планы? К всеобщему удивлению, представитель компании ответил: "Мы готовы начать производство уже сейчас, если будет спрос на эту продукцию". Это не значит, что мы увидим эти модули в ближайшие месяцы, но в ближайшие несколько лет - это точно. Такая память будет работать на частоте 2400 МГц - достаточно быстро для серверных решений. Некоторое время уйдёт на то, чтобы память DDR4 стала работать значительно быстрее, чем DDR3, но энергопотребление и плотность записи улучшатся сразу.

Планка памяти DDR4 32 Гб от Samsung

Большой интерес представляет использование таких DDR4 модулей с высокой плотностью записи для расчётов в высокопроизводительных вычислительных комплексах, особенно в долгосрочной перспективе. Ведь именно такие аспекты, как высокая плотность RAM-памяти и её энергоэффективность долгое время были камнем преткновения при создании высокопроизводительных суперкомпьютеров. Если компании Samsung удастся увеличить в 4 раза плотность памяти, то это позволит создать материнские платы, имеющие 32 слота, с поддержкой от 1 ТБ до 4 ТБ оперативной памяти. Именно таких объёмов требуют серверные чипсеты от Intel. Например, 15-ядерный процессор Xeon E7v2 поддерживает до 1,5 ТБ RAM-памяти на ядро.

Напомним, что раннее Toshiba объявляла о выпуске самой маленькой NAND памяти.

По данным Samsung, новые чипы, выполненные по более современной ECC-технологии, работают при напряжении 1,2 В и потребляют в 2 раза меньшую мощность, чем их предшественники DDR3, изготовленные по 40-нм техпроцессу. Спрос на потребительском рынке будет очень скромным, ведь сейчас только Intel X99 имеет поддержку памяти DDR4; в скором времени обещается поддержка чипсетом Intel Skylake. Ходят слухи, что чипсет Carrizo от компании AMD также сможет работать с памятью стандарта DDR4. Вполне возможно, что он будет поддерживать сразу оба стандарта: DDR3 и DDR4. Для этого потребуется создать две версии чипа, либо оснастить его комбинированным контроллером памяти, как это было при переходе с DDR2 на DDR3.

DDR4 выполненная по 20-нм техпроцессу потребляет в 2 раза меньше мощность, чем DDR3

Однако, есть опасения, что в ближайшее время память стандарта DDR4 не будет востребована в сегменте настольных компьютеров. Скорее всего, она найдёт применение в смартфонах и других высокопроизводительных переносных устройствах, где на первый план выходит вопрос энергосбережения.

Оцените статью
1 1 1 1 1

чтобы комментировать